因此，打破从严格意义上来说，在三维系统中实现QHE依然是不小的挑战。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，硅谷果终工投稿邮箱[email protected]。与其他3D技术(如直接墨水书写、职场再限制员资电流体动力学印刷、职场再限制员资激光诱导正向转移、激光辅助电泳沉积和激光诱导的光还原)相比，3DFEBID是制造高精度和高自由度3D微纳结构的更有前途的技术。

传统图2样品电流模拟从FEBID期间收集的与时间相关的样本电流曲线中解析分段角度变化。开讨图7BIR温度随校准结构高度变化的3DFEBID模拟BIR温度随校准结构高度变化的3DFEBID模拟。随着纳米线生长的热阻增加，论薪束撞击区域的温度逐渐升高，导致沉积速率随之降低，纳米线朝向基板弯曲，实验、数学模型和模拟均证实了上述结果。

【成果简介】近日，打破美国田纳西大学JasonD.Fowlkes博士(通讯作者)等通过互补实验、打破模型和模拟确定光束诱导的加热，探究了使用聚焦电子束诱导沉积(FEBID)对网格物体3D纳米打印期间的沉积速率影响，并在ACSNano上发表了题为ImpactofElectron-BeamHeatingduring3DNanoprinting的研究论文。由于垂直生长速率降低，硅谷果终工纳米线似乎偏向并朝向基板弯曲。

职场再限制员资图4预测BIR温度随z坐标中的总沉积高度的变化通过1D分析数学模型(实线)预测沉积物的最高温度作为沿z坐标的总沉积高度的函数。

图3FEBID诱导电子束加热的一维分析模型分段增长角度(ζ)，传统隐含地包括在1D加热模型中随沉积物的路径长度上变化的横截面积函数A(s)。作者采取同步辐射表征和密度泛函理论（DFT）计算分析表明，开讨双金属硒化物的相界处存在界面电荷的重新分布，开讨表现为在界面的位置上电子从CoSe2转移到ZnSe上。

论薪（i）50次循环后CoZn-Se的HRTEM图像。打破（c）从（a）和（b）中挑选的XRD图谱。

【图文导读】图一、硅谷果终工材料表征   （a）CoZn-Se,ZnSe和CoSe2的XRD图谱。（f）CoK-edgeEXAFS图谱;（g）k2-weightedZnK-edgeEXAFS信号的小波变换（h）k2-weightedCoK-edgeEXAFS信号的小波变换图二、职场再限制员资储钠性能（a）CoZn-Se、职场再限制员资ZnSe和CoSe2在0.01-3.0V电压范围内，0.1mVs-1下的第二圈CV曲线。